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Entwicklungsingenieur*in - Vierpolige Transistoren & MM-Wellen-Schaltungen
Freiburg im Breisgau
Aktualität: 01.06.2023
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01.06.2023, Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Freiburg im Breisgau
Entwicklungsingenieur*in - Vierpolige Transistoren & MM-Wellen-Schaltungen
Ihre Tätigkeitsbereiche liegen in der Entwicklung vereinfachter Simulationsmodelle von (vierpoligen) Hochfrequenz-Bauelementen und Schaltungen auf Basis verschiedener III-V-Verbindungshalbleiter im Frequenzbereich von 0,1 GHz bis über 300 GHz. Für die Charakterisierung dieser Bauelemente stehen am Institut hochmodern ausgerüstete Labore mit neuster Messtechnik zur Verfügung. Die Simulationsmodelle finden Verwendung im Entwurf von monolithisch integrierten Schaltungen für vielfältige Anwendungsgebiete in den Bereichen Sensorsysteme, Kommunikation und Raumfahrt.
Sie verfügen über ein erfolgreich abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master) der Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik, Nachrichtentechnik, Physik oder eine vergleichbare Qualifikation, idealerweise mit Promotion.
Dazu bringen Sie erste Erfahrung in der Charakterisierung und Modellierung von aktiven und passiven Bauelementen im Hochfrequenzbereich mit.
Praxis in der Entwicklung von Hochfrequenz-Schaltungen ist von Vorteil.
Sie haben Kenntnisse im Umgang mit Schaltungssimulations- und 3D-Feldsimulationsprogrammen wie z. B. Keysight Advanced Design System (ADS) und CST Microwave Studio.
Idealerweise kennen Sie sich in der Akquise und Leitung von Förderprojekten aus.
Ihre Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten, sowie ein selbstständiger wissenschaftlicher Arbeitsstil zeichnen Sie aus.
Verhandlungssicheres Deutsch und Englisch, gute Team- und Kommunikationsfähigkeiten sowie Freude an experimenteller Arbeit runden Ihr Profil ab.
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